三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。其他还有开关时间特性的区别，一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。 场效应管和三极管输入电阻有差异。 .场效应管是单极;三极管是双极。 场效应管是电压控制电流源，控制电压和电流属于不同的支路，因而电压的求解一般不难（有时是与受控电流有关的表达式），进而根据漏极电流表达式来求出电流值，然后进行模型分析，求出跨导和输出电阻。 而三极管要先建立模型，然后进行电路分析，求解过程特别是计算很复杂，容易出错； 总体而言，场效应管的分析要比三极管简单一些。 三.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点： 1）、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。 这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。 2）、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。 3）、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。 4）、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。 5）、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。 6）、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大7）、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流，所以输入电阻R'i≈∞。跨导gm比三极管的小一个数量级，gm我们可以用转移特性求导得到 5.三极管可以说是电流控制电流源的器件，而电流是通过输入电阻的大小来体现的；但场效应管是电压控制电流源的器件 6.记住四种mos管的特性曲线的方法：只需记住n沟道的emos管的曲线，它的Vgs是大于0的，且曲线呈递增趋势．而p沟道的emos的Vgs是小于0的，且呈现递减趋势．dmos的Vgs既有大于0的部分，又有小于0的部分，按照n沟道递增，p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了 7.1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件； 2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件； 3）场效应管灵活性比三级管好； 4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。场效应管它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的. 场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。 场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。