IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，

是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，

或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的